Samsung dilaporkan telah memulakan pembuatan cip 3nm dengan teknologi Gate-All-Around pada bulan lepas. Dan hari ini Samsung mengadakan majlis untuk meraiakan penghantaran pertama cip tersebut.
Majlis tersebut dihadiri kira-kira 100 orang, termasuk eksekutif dan pekerja syarikat yang mengambil bahagian dalam pembangunan cip tersebut. Pada acara tersebut, Samsung turut menyatakan cita-cita mereka untuk maju dengan teknologi inovatif sekaligus menjadi yang terbaik di dunia.
Samsung Electronics memulakan penyelidikan transistor GAA pada awal tahun 2000 dan bereksperimen dengan reka bentuk pada tahun 2017. Kini Samsung dikatakan bersedia untuk menghasilkan cip tersebut dalam skala yang besar.
Dengan transistor GAA, ia membolehkan transistor membawakan arus yang lebih tinggi dalam masa yang sama mempunyai saiz yang lebih kecil berbanding reka bentuk FinFeet. Selain itu GAA 3nm juga menggunakan 45% kuasa lebih rendah dan 23% lebih pantas serta 16% lebih kecil.
